特許：Patent
特許第6843383号、登録日：令和3年2月26日（2021.2.26）「遷移金属代替金属材料」
出願日：平成29年1月30日(2017.1.30)、特願2017-014554
発明者：中西寛,笠井秀明
特許権者：独立行政法人国立高等専門学校機構
特許6832010号、 登録日：令和3年2月3日(2021.2.3)
「耐コーキング作用を有するメタンの活性化触媒」
出願日：平成29年6月30日(2017.6.30)、特願2017-129580
発明者：中西寛 、笠井秀明 、アレヴァロライアンラクダオ
特許権者：独立行政法人国立高等専門学校機構
特許第6805435号、 登録日：令和2年12月8日(2020.12.8)
「コアシェル触媒および反応促進方法」
出願日：平成28年6月17日(2016.6.17)、特願2017-528345
発明者：松谷 耕一, 海江田 武, 政広 泰, 笠井 秀明, 中西 寛, 清水 康司
特許権者：田中貴金属工業株式会社, 国立大学法人大阪大学
特許第5991662号、 登録日：平成28年8月16日(2016.8.16)
「窒素酸化物浄化触媒、及びその製造方法」
出願日：平成24年3月30日(2012.3.30) 特願2012-082097
発明者：笠井秀明, 中西寛, 岸浩史
特許権者：国立大学法人大阪大学
特許第5902495号、登録日：平成28年03月18日
「物質中又は物質近傍の原子又は分子等の量子状態推定法、量子状態推定装置及びコンピュータプログラム」
出願日:平成24年1月30日(2012.1.30) 特願2012-16133(P2012-16133)
発明者：笠井 秀明, 中西 寛
特許権者：国立大学法人大阪大学
特許第5234534号、 登録日：平成25(2013)年07月10日
「Ｎ４キレート型２量化金属錯体からなる電池用電極触媒の性能評価方法」
出願日：平成19年5月24日(2007.5.24)、特願2007-138344(P2007-138344)
発明者：信原 邦啓, 岩田 奈緒子, 笠井 秀明, 中西 寛, Wilson Agerico Tan Diño, 津田 宗幸
特許権者：国立大学法人大阪大学
特許第5223084号、登録日：平成25年3月22日
「多層構造の抵抗層を備える不揮発性メモリセルおよびその製造方法、並びにそれを用いた抵抗可変型不揮発性メモリ装置」
出願日：平成18年9月22日(2006.9.22)、特願2006-257970(P2006-257970)
発明者：笠井 秀明, 中西 寛, 岸 智弥
特許権者：国立大学法人大阪大学
特許第5119436号、登録日：平成24年11月2日
「不揮発性メモリセルおよびその製造方法、抵抗可変型不揮発性メモリ装置、並びに不揮発性メモリセルの設計方法」
出願日：平成18年12月28日(2006.12.28)、特願2006-355977(P2006-355977)
発明者：笠井 秀明, 中西 寛, 岸 智弥
特許権者：国立大学法人大阪大学
特許第5110557号 登録日：平成24年10月19日
「燃料電池用電極触媒の性能評価方法及びその探索方法」
出願日：平成18年3月30日(2006.3.30)、特願2006-93546(P2006-93546)
発明者：信原 邦啓, 笠井 秀明, 中西 寛, Wilson Agerico Tan Diño
特許権者：トヨタ自動車株式会社, 国立大学法人大阪大学
特許第5057264号 登録日：平成24年8月10日
「表面スピントロニクスデバイス」
発明者：笠井秀明, 中西 寛, 岸 智弥
特許権者：独立行政法人科学技術振興機構
特許第5002761号 登録日:平成24年6月1日
「オキソポルフィリン系電極触媒材料」
発明者:窪田善之,中西寛,笠井秀明,エベン シー ディ,ウイルソン アジェリコ ディーニョ
特許権者：国立大学法人大阪大学
米国特許 US 8,140,467 B2, Date of Patent：Mar. 20,2012
“Quantum state estimation method, quantum state estimation device and computer program”
発明者：Hideaki Kasai, Hiroshi Nakanishi
特許権者：国立大学法人大阪大学
特許第4774523号 登録日：平成23年7月8日
「量子状態推定方法、量子状態推定装置及びコンピュータプログラム」
発明者:笠井秀明，中西寛
特許権者：国立大学法人大阪大学
特許第4691649号 登録日：平成23年3月4日
「水素吸蔵材料」
発明者:笠井秀明，中西寛, Wilson Agerico Tan Diño, 津田 宗幸
特許権者：国立大学法人大阪大学
特許第4223014号 登録日：平成20年11月28日
「水素吸蔵・放出制御法」
発明者:笠井秀明，中西寛，信原邦啓，Wilson Agerico Dino
特許権者：独立行政法人科学技術振興機構
特許第4222932号 登録日：平成20年11月28日
「水素吸蔵・放出制御法」
発明者:笠井秀明，中西寛，信原邦啓，Wilson Agerico Dino
特許権者：独立行政法人科学技術振興機構
米国特許 US 7,432,573 B2, Date of Patent：Oct. 7,2008
“SURFACE-SPINTRONICS DEVICE”
発明者：Hideaki Kasai, Hiroshi Nakanishi, Tomoya Kishi
特許権者：独立行政法人科学技術振興機構
特許第4128070号 登録日：平成20年5月23日
「オルソ・パラ変換促進方法および水素液化促進方法」
発明者：笠井秀明, 中西 寛, 三浦良雄, Rifki Muhida
特許権者：独立行政法人 科学技術振興機構
韓国特許 第10-0644959号 特許日：平成18年11月03日 権利放棄
「表面スピントロニクスデバイス」
発明者：笠井秀明, 中西 寛, 岸 智弥
特許権者：独立行政法人科学技術振興機構
特許第3765050号、 登録日：平成18年2月3日
「水素の液化促進法」
発明者：笠井秀明, 中西 寛, Wilson Agerico Diño, Rifki Muhida
特許権者：科学技術振興事業団
